點擊藍字關注我們芯片由晶圓切割成單獨的顆粒后，再經過芯片封裝過程即可單獨應用。

　　1、減薄（Back Grind）：

　　芯片依工藝要求，需有一定之厚度。應用研磨的方法，達到減薄的目標。研磨的第一步為粗磨，第二步為細磨，目的為消減芯片粗磨中生成的應力破壞層（一般厚度為1～2μm左右）。

　　2、貼膜（Wafer Mount）

　　減薄之后，要在芯片背面貼上配合劃片使用的藍膜，才可開始劃片。圖1、芯片貼膜后裝在金屬外框中的照片

　　3、劃片（Wafer Saw）

　　劃片時需控制移動劃片刀的速度及劃片刀的轉速。不同芯片的厚度及藍膜的黏性都需要有不同的配合的劃片參數，以減少劃片時在芯片上產生的崩碎現象。圖2、劃片工藝示意圖

　　一般切割刀片可以達到最小的切割寬度為40μm左右。若用雷射光取代切割刀片可將切割寬度減小到20μm。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必須用雷射光切割。對于厚芯片或堆疊多層芯片的切割方式，也建議使用雷射光切割。圖3、刀片劃片工作時的照片

　　一般劃片時移動的速度為50mm/s。

　　一般劃片時的刀片旋轉的速率為38 000r/min。

　　劃片完成后，還需要用潔凈水沖洗芯片表面，保證芯片上打線鍵合區不會有硅粉等殘留物，如此才能保證后序打線鍵合工藝的成功良品率。

　　4、貼片（Die Attach）

　　將芯片顆粒由劃片后的藍膜上分別取下，用膠水（epoxy）與支架（leadframe，引線筐架）貼合在一起，以便于下一個打線鍵合的工藝。圖4、未粘貼芯片顆粒的支架照片圖5、銀膠貼片工藝示意圖 圖6、貼片工藝完成后芯片顆粒在支架上的照片

　　一般芯片顆粒背后銀膠層厚度為5μm。同時芯片顆粒周邊需要看到銀膠溢出痕跡，保證要有90%的周邊溢出痕跡米樂M6。

　　其他的常用貼片模式之一，主要是使用共金熔焊模式取代銀膠（見圖7）。圖7、使用共金貼片工藝的示意圖圖8、共金貼片工藝的工藝過程

　　無錫祺芯半導體科技有限公司是專業從事芯片行業智能化生產設備的研發、生產和銷售的高科技企業。成立于2020年，座落在無錫惠山經濟技術開發區。公司獲得無錫惠山區先鋒人才，無錫市太湖人才等多項榮譽，是無錫市半導體協會理事單位。公司研發團隊核心人員，均擁有20年以上半導體設備從業經驗，對封裝工藝及相關裝備產業化擁有豐富研發經驗，擁有多項國家級技術發明、實用新型專利和軟件著作權。并與清華大學、中國科學院等國內知名院校長期進行產學研合作。

　　公司自主研發的MGP智能芯片封裝系統、AM全自動芯片封裝系統、TF單元組合式芯片自動切筋成型系統等多款芯片智能化生產設備，均已獲得市場認可和客戶的一致好評。

　　無錫祺芯半導體科技有限公司，秉承創新、高效、品質、誠信的價值觀，立足無錫，以做中國自主品牌的芯片智能設備為使命，助力芯片產業，打造智慧工廠。立志成為芯片封測設備行業的領航者！

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